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L2
5
µ
H
Sumida
CDRH6D38−5R0
IN3
OUT3
FB1
FB2
20
1
11
10
DGND
SS3
AGND
EN1
SS1
DGND
SW1
IN1
IS1
19
18
17
16
15
14
13
12
FB3
EN3
EN2
SS2
DGND
SW2
IN2
IS2
2
3
4
5
6
7
8
9
R3
619k
R4
154k
EN3
EN2
V
在
EN1
V
在
1.5nf
1.5nf0.01
µ
F
R1
33m
Ω
10pF
100
µ
F
Tantalum
100
µ
F
Tantalum
Siliconix
Si2323DS
Siliconix
Si2323DS
Q1
L1
15
µ
H
Sumida
CDRH8D43−150
V
CCINT
1.2v, 3A
Vishay
SS32
0.1
µ
F
1
µ
F
V
CCAUX
2.5v, 300mA
10
µ
F
0.1
µ
F
R5
619k
在 半导体
MBRM120
R6
365k
V
CCIO
3.3v, 3A
R2
33m
Ω
100
µ
F
V
在
TPS75003
SBVS052A–OCTOBER2004–REVISEDDECEMBER2004
typicalapplicationcircuitforpoweringthexilinxspartan-3fpga
figure1.
7