©2002 仙童 半导体 公司 rhrd660, rhrd660s rev. b
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
I
F
= 6a - - 2.1 V
I
F
= 6a, t
C
= 150
o
C - - 1.7 V
I
R
V
R
= 600v - - 100
µ
一个
V
R
= 600v, t
C
= 150
o
C - - 500
µ
一个
t
rr
I
F
= 1a, di
F
/dt = 200a/
µ
s- - 30 ns
I
F
= 6a, di
F
/dt = 200a/
µ
s- - 35 ns
t
一个
I
F
= 6a, di
F
/dt = 200a/
µ
s - 16 - ns
t
b
I
F
= 6a, di
F
/dt = 200a/
µ
s - 8.5 - ns
Q
RR
I
F
= 6a, di
F
/dt = 200a/
µ
s - 45 - nC
C
J
V
R
= 10v, i
F
= 0a - 20 - pF
R
θ
JC
--3
o
c/w
定义
V
F
= instantaneous 向前 电压 (pw = 300
µ
s, d = 2%).
I
R
= instantaneous 反转 电流.
t
rr
= 反转 恢复 时间 (看 图示 9), summation 的 t
一个
+ t
b
.
t
一个
= 时间 至 reach 顶峰 反转 电流 (看 图示 9).
t
b
= 时间 从 顶峰 i
RM
至 projected 零 越过 的 i
RM
为基础 在 一个 笔直地 线条 从 顶峰 i
RM
通过 25% 的 i
RM
(看 图示 9).
Q
RR
= 反转 恢复 承担.
C
J
= 接合面 电容.
R
θ
JC
= 热的 阻抗 接合面 至 情况.
pw = 脉冲波 宽度.
d = 职责 循环.
典型 效能 曲线
图示 1. 向前 电流 vs 向前 电压 图示 2. 反转 电流 vs 反转
V
F
, 向前 电压 (v)
1
30
0.5
10
0 0.5 2.5121.5
I
F
, 向前 电流 (一个)
3
25
o
C
175
o
C
100
o
C
0 600400300200
100
0.01
0.1
1
10
1000
100 500
100
o
C
175
o
C
25
o
C
V
R
, 反转 电压 (v)
I
R
, 反转 电流 (
µ
一个)
rhrd660, rhrd660s