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资料编号:58191
 
资料名称:PDTA124EEF
 
文件大小: 48.44K
   
说明
 
介绍:
PNP resistor-equipped transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001 六月 11 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 电阻-配备 晶体管 PDTA124EEF
热的 特性
便条
1. 谈及 至 sc-89 (sot490) 标准 挂载 情况.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
50 V
−−−
100 nA
I
CEO
集电级 截-止 电流 I
B
= 0; v
CE
=
30 V
−−−
1
µ
一个
I
B
= 0; v
CE
=
30 v; t
j
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
5V
−−−
180
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
5 毫安; v
CE
=
5V 60
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
10 毫安; i
B
=
0.5 毫安
−−−
150 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
=
100
µ
一个; v
CE
=
5V
−−
1.14
0.8 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
=
5 毫安; v
CE
=
0.3 V
2.5
1.7
V
R1 输入 电阻 15.4 22 28.6 k
电阻 比率 0.8 1 1.2
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
10 v;
f = 1 MHz
−−
3pF
R2
R1
--------
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