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资料编号:582215
 
资料名称:RN1411
 
文件大小: 161.55K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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rn1410,rn1411
2001-06-07
1
toshiba 晶体管 硅 npn 外延的 类型 (pct 处理)
rn1410,rn1411
切换, 反相器 电路, 接口 电路
和 驱动器 电路 产品

和 建造-在 偏差 电阻器

使简化 电路 设计

减少 一个 quantity 的 部分 和 制造 处理

complementary 至 rn2410, rn2411
相等的 电路
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 v
发射级-根基 电压 V
EBO
5 v
集电级 电流 I
C
100 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
200 mw
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0
100 nA
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
= 5v, i
C
= 0
100 nA
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
= 5v, i
C
= 1ma 120
700
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
= 5ma, i
B
= 0.25ma
0.1 0.3 V
转变 频率 f
T
V
CE
= 10v, i
C
= 5ma
250
MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz
3 6
pF
rn1410 3.29
4.7 6.11
输入 电阻
RN1411
R1
7
10 13
k
电子元件工业联合会 至-236mod
eiaj sc-59
toshiba 2-3f1a
重量: 0.012g
单位: mm
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