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资料编号:582233
 
资料名称:RN1206
 
文件大小: 251.29K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN1201~RN1206
2001-06-07
2
电的 特性
(ta = 25

c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0
100 nA
集电级 截-止 电流 RN1201~1206
I
CEO
V
CE
= 50v, i
B
= 0
500 nA
RN1201
0.82
1.52
RN1202
0.38
0.71
RN1203
0.17
0.33
RN1204
V
EB
= 10v, i
C
= 0
0.082
0.15
RN1205
0.078
0.145
发射级 截-止 电流
RN1206
I
EBO
V
EB
= 5v, i
C
= 0
0.074
0.138
毫安
RN1201
30
RN1202
50
RN1203
70
RN1204
80
RN1205
80
直流 电流 增益
RN1206
h
FE
V
CE
= 5v, i
C
= 10ma
80
集电级-发射级
饱和 电压
rn1201~1206 v
ce (sat)
I
C
= 5ma,
I
B
= 0.25ma
0.1 0.3 V
RN1201
1.1
2.0
RN1202
1.2
2.4
RN1203
1.3
3.0
RN1204
1.5
5.0
RN1205
0.6
1.1
输入 电压 (在)
RN1206
V
i (在)
V
CE
= 0.2v, i
C
= 5ma
0.7
1.3
V
RN1201~1204
1.0
1.5
输入 电压 (止)
RN1205~1206
V
i (止)
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma
0.5
0.8
V
转变 频率 RN1201~1206 f
T
V
CE
=10v, i
C
= 5ma
250
MHz
集电级 输出
电容
rn1201~1206 c
ob
V
CB
= 10v, i
E
= 0,
f = 1mhz
3 6 pf
RN1201
3.29 4.7 6.11
RN1202
7 10 13
RN1203
15.4 22 28.6
RN1204
32.9 47 61.1
RN1205
1.54 2.2 2.86
输入 电阻
RN1206
R1
3.29 4.7 6.11
k
RN1201~1205
0.9 1.0 1.1
RN1205
0.0421 0.0468 0.0515
电阻 比率
RN1206
r1/r2
0.09 0.1 0.11
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