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rsb6.8s
二极管
静电释放 保护 二极管
rsb6.8s
!
应用
噪音 抑制 在 信号 线条
!
特性
1)小 表面 挂载 类型. (emd2)
2) 高 可靠性.
!
构建
硅 外延的 planar
!
电路
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : emd2
eiaj : sc-79
电子元件工业联合会 : sod-523
1.6
±
0.1
1.2
±
0.05
0.8
±
0.05
0.6
±
0.1
0.12
±
0.05
0.3
±
0.05
F7
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
标识 限制
10
单位
W
Tj
150 mW
Tstg
150
°
C
P
−
55
∼+
150
°
C
Topr
−
55
∼+
150
°
C
Ppk
顶峰 脉冲波 电源
(tp
=
10
×
1000
µ
s)
电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
运作 温度
!
!!
!
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
Z
I
R
5.780
−
−
−
7.820
0.5
V
µ
一个
I
Z
=
1mA
V
R
=
3.5v
Ct
−
30
−
pF V
R
=
0v, f
=
1MHz
齐纳 电压
反转 电流
接合面 电容
∗
齐纳 电压 (vz) 将要 是 量过的 在 40ms 之后 加载 电流.

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rsb6.8s 二极管静电释放保护二极管 rsb6.8s ! 应用噪音抑制在信号线条 ! 特性 1)小表面挂载类型. (emd2) 2) 高可靠性. ! 构建硅外延的 planar ! 电路 ! !! ! 外部维度 (单位 : mm) rohm : emd2 eiaj : sc-79 电子元件工业联合会 : sod-523 1.6 ± 0.1 1.2 ± 0.05 0.8 ± 0.05 0.6 ± 0.1 0.12 ± 0.05 0.3 ± 0.05 F7 ! !! ! 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 参数标识限制 10 单位 W Tj 150 mW Tstg 150 ° C P − 55 ∼+ 150 ° C Topr − 55 ∼+ 150 ° C Ppk 顶峰脉冲波电源 (tp = 10 × 1000 µ s) 电源消耗接合面温度存储温度运作温度 ! !! ! 电的特性 (ta=25 ° c) 参数标识最小值典型值最大值单位情况 V Z I R 5.780 − − − 7.820 0.5 V µ 一个 I Z = 1mA V R = 3.5v Ct − 30 − pF V R = 0v, f = 1MHz 齐纳电压反转电流接合面电容 ∗ 齐纳电压 (vz) 将要是量过的在 40ms 之后加载电流.

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