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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 是 出售 用 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 规格 在 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 Intersil 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 Intersil 或者 它的 附属机构 为 它的 使用; 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部 这个 将 结果
从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
为 信息 关于 Intersil 公司 和 它的 产品, 看 网 站点
www.intersil.com
图示 3. t
rr
,t
一个
和 t
b
曲线 vs 向前 电流 图示 4. 电流 减额 曲线
典型 效能 曲线
(持续)
60
50
40
30
20
10
0
1
t, 时间 (ns)
I
F
, 向前 电流 (一个)
10 60
t
rr
t
一个
t
b
60
50
40
30
20
10
0
60 80 100 120 140 160 180
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
f(av)
, 平均 向前 电流 (一个)
sq. 波
直流
测试 电路 和 波形
图示 5. t
rr
测试 电路 图示 6. t
rr
波形 和 定义
图示 7. avalanche 活力 测试 电路 图示 8. AVALANCHE 电流 和 电压
波形
R
G
L
V
DD
IGBT
电流
SENSE
DUT
V
GE
t
1
t
2
V
GE
振幅 和
t
1 和
t
2
控制 i
F
R
G
控制 di
F
/dt
+
-
dt
dI
F
I
F
t
rr
t
一个
t
b
0
I
RM
0.25 i
RM
DUT
电流
SENSE
+
LR
V
DD
r < 0.1
Ω
E
AVL
= 1/2li
2
[V
r(avl)
/(v
r(avl)
- v
DD
)]
Q
1
= igbt (bv
CES
> dut v
r(avl)
)
-
V
DD
Q
1
i = 1.4a
l = 40mh
IV
t
0
t
1
t
2
I
L
V
AVL
t
I
L
RURG5060
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