s16md01/s16md02/s26md01/s26md02
■
电的 特性
(
Ta = 25˚C
)
情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
F
= 20mA - 1.2 1.4 V
V
R
=3V - - 10
µ
一个
V
DRM
= 评估 - - 100
µ
一个
I
T
= 0.6a - - 3.0 V
V
D
=6V - - 25 毫安
100 - - v/
µ
s
I
F
= 15mA
- - 35 V
V
D
= 6v, r
L
= 100
Ω
- - 10 毫安
5
x
10
10
10
11
-
Ω
V
D
= 6v, r
L
= 100
Ω
I
F
= 20mA
- - 100
µ
s
--50
µ
s
参数 标识
输入
向前 电压 V
F
反转 电流 I
R
输出
repetitive 顶峰 止-状态 电流
I
DRM
在-状态 电压 V
T
支持 电流 I
H
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
零-交叉 电压
S16MD02
Vox
转移
charac-
teristics
最小 触发 电流 I
FT
分开 阻抗 R
ISO
转变-在 时间
S16MD01
S26MD01
t
在
S16MD02
S26MD02
2
S26MD02
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
- 25 0 25 50 75 100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
40
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
向前 电流 i
F
(
毫安
)
- 25 0 25 75 100
0
10
20
30
40
50
60
55 80
向前 电压 v
F
(
V
)
向前 电流 i
F
(
毫安
)
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
10
100
1
2
5
20
50
200
-
25˚C
50˚C
25˚C
0˚C
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
- 30 0 20 40 60 80 100
0
2
4
6
8
10
12
S16MD02
S16MD01
图. 1 rms 在-状态 电流 vs.
包围的 温度
图. 2 向前 电流 vs.
包围的 温度
图. 3 向前 电流 vs.
向前 电压
图. 4 最小 触发 电流 vs.
包围的 温度
(
s16md01/s16md02
)
80
V
DRM
=
(
1/
)
• 评估
rms 在-状态 电流 i
F
(
Arms
)
dv/dt
dc500v, 40 至 60 % RH
50
V
D
=6V
R
L
= 100
Ω
T
一个
=-
25˚C
阻抗 加载
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