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S1D2511B01
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电的 特性
( v = 5v, tamb = 25
°
I
2
(看 也 i
2 2
c sub 地址 控制)
表格 4. 同步  处理器 电的 特性
标识 情况 典型值 最大值
horizontal 和 vertical 输入 门槛
电压 (管脚 1, 2)
低 水平的
高 水平的
0.8 V
horizontal 和 vertical 拉-向上 resister RIN 200 K
下落 和 rising 输出 cmos 缓存区 TfrOut 200 ns
(管脚 3)
VHlock
LOCKOUT
= -250 一个
unlocked, i = +250
µ
0
5
V
V
TH
(9)
VoutT c0 = 820pf 35 %
2
c 读/写 运行  情况
标识 最小值 最大值 单位
VinH 3.0 5.0 V
VinL 0 1.5 V
fSCL - 200 kHz
tBUF 1.3 - 美国
tHDS 0.6 - 美国
tSUP 0.6 - 美国
tLOW 1.3 - 美国
tHIGH 0.6 - 美国
tHDAT 0.3 - 美国
tSUPDAT 0.25 - 美国
tR - 1.0 美国
tF - 3.0 美国

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S1D2511B01 8 电的特性 ( v = 5v, tamb = 25 ° I 2 (看也 i 2 2 c sub 地址控制) 表格 4. 同步处理器电的特性标识情况典型值最大值 horizontal 和 vertical 输入门槛电压 (管脚 1, 2) 低水平的高水平的 0.8 V horizontal 和 vertical 拉-向上 resister RIN 200 K 下落和 rising 输出 cmos 缓存区 TfrOut 200 ns (管脚 3) VHlock LOCKOUT = -250 一个 unlocked, i = +250 µ 0 5 V V TH (9) VoutT c0 = 820pf 35 % 2 c 读/写运行情况标识最小值最大值单位 VinH 3.0 5.0 V VinL 0 1.5 V fSCL - 200 kHz tBUF 1.3 - 美国 tHDS 0.6 - 美国 tSUP 0.6 - 美国 tLOW 1.3 - 美国 tHIGH 0.6 - 美国 tHDAT 0.3 - 美国 tSUPDAT 0.25 - 美国 tR - 1.0 美国 tF - 3.0 美国

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