s11md5t/s21md3tv/s21md4tv
向前 电流 i
F
(
毫安
)
图. 3 向前 电流 vs. 向前 电压
S21MD4TV
S21MD3TV
S11MD5T
8
6
4
2
100806040200
0
-
30
图. 4 最小 触发 电流 vs.
包围的 温度
一个
(
˚C
)
-
30
0.7
0 20406080100
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
S21MD3TV
S11MD5T
S21MD4TV
-
30 0 20406080100
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
T
(
V
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
1.4
1.5
-
30 0 20 100
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
40 60 80
S21MD3TV
S21MD4TV
T
(
V
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
-
30 100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
806040200
S11MD5T
S21MD3TV
S21MD4TV
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
图. 7 支持 电流 vs.
包围的 温度
支持 电流 i
H
(
毫安
)
图. 5 相关的 repetitive 顶峰 止-状态
电压 vs. 包围的 温度
V
DRM
(
T=T
一个
)
/v
DRM
(
T = 25˚C
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
包围的 温度
(
s21md3tv/s21md4tv
)
包围的 温度 t
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
V
D
=6V
R
L
= 100
Ω
向前 电压 v
F
(
V
)
14
10
12
图. 6-一个 在-状态 电压 vs.
包围的 温度
(
S11MD5T
)
相关的 repetitive 顶峰 止-状态 电压
j
在-状态 电压 v
图. 6-b 在-状态 电压 vs.
在-状态 电压 v
j
I
T
= 100mA
I
T
= 100mA
V
D
=6V
200
10
5
2
1
0 0.5 1.0 1.5 2.5 3.02.0
100
20
50
75˚C
50˚C
25˚C
0˚C
-
30˚C
T
一个
= 100˚C
: 点此下载
