SYMBOLS 参数 单位 比率
ps2732-1 ps2732-2, -4
ps2733-1 ps2733-2, -4
二极管
V
R
反转 电压 V 6 6
I
F
向前 电流 毫安 50 50
P
D
电源 消耗 mw/ch 80 80
I
f (顶峰)
顶峰 向前 电流 一个 1 1
(pw = 100
µ
s, 职责 循环 1%)
晶体管
V
CEO
集电级 至 发射级 电压 V 300/350 300/350
(i
C
= ima, i
B
= 0)
V
EBO
发射级 至 根基 损坏 volt V 6 6
(i
E
= 100
µ
一个, i
B
= 0)
I
C
集电级 电流 毫安/ch 150 150
P
C
电源 消耗 mw/ch 150 120
结合
BV 分开 电压
2
V
r.m.s.
2500
T
运算
运行 温度
°
C -55 至 +100
T
STG
存储 温度
°
C -55 至 +150
绝对 最大 比率
1
(t
一个
= 25
°
c)
注释:
1. 运作 在 excess 的 任何 一个 的 这些 参数
将 结果 在 永久的 损坏.
2. 交流 电压 为 1 分钟 在 t
一个
= 25
°
c, rh = 60 %
在 输入 和 输出.
ps2732-1,-2,-4, ps2733-1,-2,-4
典型 效能 曲线
(t
一个
= 25
°
c)
二极管 电源 消耗 vs.
包围的 温度
二极管 电源 消耗, p
D
(mw)
包围的 温度, t
一个
(
°
c)
晶体管 电源 消耗
vs. 包围的 温度
晶体管 电源 消耗, p
C
(mw)
包围的 温度, t
一个
(
°
c)
向前 电流 vs.
向前 电压
向前 电流, i
F
(毫安)
向前 电压, v
F
(v)
集电级 电流, i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压, v
CE
(v)
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
100
75
50
25
0
25 50 75 100
200
150
100
50
0 25 50 75 100
ps2732-1
ps2733-1
1.5 mw/˚c
ps2732-2,-4
ps2733-2,-4
1.2 mw/˚c
100
10
1
0.1
0.01
0.8 1 1.2
1.4
1.6
T
一个
= 100
˚
C
75
˚
C
50
˚
C
25
˚
C
0
˚
C
-25
˚
C
-55
˚
C
0.6
5 毫安
4 毫安
4.5 毫安
3.5 毫安
3 毫安
2.5 毫安
2 毫安
1.5 毫安
1 毫安
I
F
= 0.5 毫安
160
140
120
100
80
60
40
20
012345
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