发行 号码
s29al004d_00
修订
一个
Amendment
1
公布 日期
二月 18, 2005
进步
信息
S29AL004D
4 megabit (512 k x 8-位/256 k x 16-位)
cmos 3.0 volt-仅有的 激励 sector flash memory
数据 薄板
distinctive 特性
architectural 有利因素
单独的 电源 供应 运作
— 2.7 至 3.6 volt 读 和 写 行动 为 电池-
powered 产品
制造的 在 200nm 处理 技术
— 兼容 和 320nm am29lv400b 和
mbm29lv400t/bc
有伸缩性的 sector architecture
— 一个 16 kbyte, 二 8 kbyte, 一个 32 kbyte, 和 七
64 kbyte sectors (字节 模式)
— 一个 8 kword, 二 4 kword, 一个 16 kword, 和 七
32 kword sectors (文字 模式)
— 支持 全部 碎片 擦掉
unlock 绕过 程序 command
— 减少 整体的 程序编制 时间 当 issuing
多样的 程序 command sequences
顶 或者 bottom 激励 块 配置
有
embedded algorithms
— embedded 擦掉 algorithm automatically
preprograms 和 erases 这 全部 碎片 或者 任何
结合体 的 designated sectors
— embedded 程序 algorithm automatically 写
和 核实 数据 在 指定 地址
兼容性 和 电子元件工业联合会 standards
— 引脚 和 软件 compatible 和 单独的-电源
供应 flash
— 更好的 inadvertent 写 保护
sector 保护 特性
— 一个 硬件 方法 的 locking 一个 sector 至 阻止 任何
程序 或者 擦掉 行动 在里面 那 sector
— sectors 能 是 锁 在-系统 或者 通过 程序编制
设备
— temporary sector unprotect 特性 准许 代号
改变 在 先前 锁 sectors
效能 特性
高 效能
— 进入 时间 作 快 作 70 ns
过激 低 电源 消耗量 (典型 值
在 5
mhz)
— 200 na 自动 睡眠 模式 电流
— 200 na 备用物品 模式 电流
— 9 毫安 读 电流
— 20 毫安 程序/擦掉 电流
cycling 忍耐力: 1,000,000 循环 每
sector 典型
数据 保持: 20 年 典型
包装 选项
48-球 fbga
48-管脚 tsop
44-管脚 所以
软件 特性
data# polling 和 toggle 位
— 提供 一个 软件 方法 的 detecting 程序 或者
擦掉 运作 completion
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
— suspends 一个 擦掉 运作 至 读 数据 从, 或者
程序 数据 至, 一个 sector 那 是 不 正在 erased,
然后 重新开始 这 擦掉 运作
硬件 特性
准备好/busy# 管脚 (ry/by#)
— 提供 一个 硬件 方法 的 detecting 程序 或者
擦掉 循环 completion
硬件 重置 管脚 (reset#)
— 硬件 方法 至 重置 这 设备 至 读 排列
数据
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