飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristors bt151s 序列
bt151m 序列
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 - - 1.8 k/w
接合面 至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 pcb (fr4) 挂载; footprint 作 在 图.14 - 75 - k/w
接合面 至 包围的
静态的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
GT
门 触发 电流 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个 - 2 15 毫安
I
L
闭锁 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个 - 10 40 毫安
I
H
支持 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个 - 7 20 毫安
V
T
在-状态 电压 I
T
= 23 一个 - 1.4 1.75 V
V
GT
门 触发 电压 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个 - 0.6 1.5 V
V
D
= v
drm(最大值)
; i
T
= 0.1 一个; t
j
= 125 ˚c 0.25 0.4 - V
I
D
, i
R
止-状态 泄漏 电流 V
D
= v
drm(最大值)
; v
R
= v
rrm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c - 0.1 0.5 毫安
动态 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
dV
D
/dt 核心的 比率 的 上升 的 V
DM
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c;
止-状态 电压 exponential 波形;
门 打开 电路 50 130 - v/
µ
s
R
GK
= 100
Ω
200 1000 - v/
µ
s
t
gt
门 控制 转变-在 I
TM
= 40 一个; v
D
= v
drm(最大值)
; i
G
= 0.1 一个; - 2 -
µ
s
时间 dI
G
/dt = 5 一个/
µ
s
t
q
电路 commutated V
D
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c; - 70 -
µ
s
转变-止 时间 I
TM
= 20 一个; v
R
= 25 v; di
TM
/dt = 30 一个/
µ
s;
dV
D
/dt = 50 v/
µ
s; r
GK
= 100
Ω
九月 1997 2 rev 1.100
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