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资料编号:591474
 
资料名称:S6785G
 
文件大小: 107.45K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA HIGH SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
 
 


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S6785G
2001-07-10
2
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
DRM
1.0
repetitive 顶峰 止
状态 电流 和
repetitive 顶峰 反转 电流
I
RRM
V
DRM
j
= 125°c
2.0
毫安
顶峰 在
状态 电压 V
TM
I
TM
= 20a
2.0 V
门 触发 电压 V
GT
1.5 V
门 触发 电流 I
GT
V
D
= 6v, r
L
= 10
25.0 毫安
门 非
触发 电压 V
GD
0.2
V
门 非
触发 电流 I
GD
V
D
= 评估, tc = 100°c
0.2
毫安
转变
在 时间 t
gt
V
D
= 评估, i
TM
= 3a, i
G
= 120ma, t
gr
< 1µs
3.0 µs
转变
止 时间 t
q
V
D
= 评估, i
TM
= 20a, v
G
=
2.5v,
dv / dt
100v / µs, tc = 90°c
3.5 µs
核心的 比率 的 上升 的 止
状态 电压 dv / dt
V
D
= 评估, r
GK
= 100
, v
G
=
2.5v,
tc = 125°c, exponential 上升
100
v / µs
支持 电流 I
H
R
L
= 10
80.0 毫安
热的 阻抗 R
th (j
c)
接合面 至 情况, 直流
4.0 °c / w
标记
号码 标识 MARK
*1 类型 s6785g s6785g
*2
例子
8a : january 1998
8b : 二月 1998
8l : 12月 1998
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