sab 80c166w/83c166w
半导体 组 9
记忆 organization
这 记忆 空间 的 这 sab 80c166w/83c166w 是 配置 在 一个 von neumann architecture
这个 意思 那 代号 记忆, 数据 记忆, 寄存器 和 i/o 端口 是 有组织的 在里面 这
一样 直线的 地址 空间 这个 包含 256 kbytes. 地址 空间 expansion 至 16 mbytes 是
提供 为 future 版本. 这 全部 记忆 空间 能 是 accessed bytewise 或者 wordwise.
particular portions 的 这 在-碎片 记忆 有 additionally 被 制造 直接地 位 addressable.
这 sab 83c166w 包含 32 kbytes 的 在-碎片 掩饰-可编程序的 只读存储器 为 代号 或者 常量
数据. 这 只读存储器 能 是 编排 至 也 段 0 或者 段 1.
1 kbyte 的 在-碎片 内存 是 提供 作 一个 存储 为 用户 定义 变量, 为 这 系统 堆栈,
一般 目的 寄存器 banks 和 甚至 为 代号. 一个 寄存器 bank 能 组成 的 向上 至 16 wordwide
(r0 至 r15) 和/或者 bytewide (rl0, rh0, …, rl7, rh7) so-called 一般 目的 寄存器
(gprs).
512 字节 的 这 地址 空间 是 保留 为 这 特定的 函数 寄存器 范围. sfrs 是
wordwide 寄存器 这个 是 使用 为 controlling 和 monitoring 功能 的 这 不同的 在-碎片
单位. 98 sfrs 是 目前 执行. unused sfr 地址 是 保留 为 future
members 的 这 sab 80c166 家族.
在 顺序 至 满足 这 needs 的 设计 在哪里 更多 记忆 是 必需的 比 是 提供 在 碎片, 向上
至 256 kbytes 的 外部 内存 和/或者 只读存储器 能 是 连接 至 这 微控制器.
外部 总线 控制
所有 的 这 外部 记忆 accesses 是 执行 用 一个 particular 在-碎片 外部 总线 控制
(ebc). 它 能 是 编写程序 也 至 单独的 碎片 模式 当 非 外部 记忆 是 必需的, 或者
至 一个 的 四 不同的 外部 记忆 进入 模式, 这个 是 作 跟随:
– 16-/18-位 地址, 16-位 数据, demultiplexed
– 16-/18-位 地址, 16-位 数据, 多路复用
– 16-/18-位 地址, 8-位 数据, 多路复用
– 16-/18-位 地址, 8-位 数据, demultiplexed
在 这 demultiplexed 总线 模式, 地址 是 输出 在 端口 1 和 数据 是 输入/输出 在 端口 0.
在 这 多路复用 总线 模式 两个都 地址 和 数据 使用 端口 0 为 输入/输出.
重要的 定时 特性 的 这 外部 总线 接口 (记忆 循环 时间, 记忆 触发-
状态 时间, 读/写 延迟 和 长度 的 ale, ie. 地址 setup/hold 时间 和 遵守 至 ale)
有 被 制造 可编程序的 至 准许 这 用户 这 adaption 的 一个 宽 范围 的 不同的 类型 的
memories. 在 增加, 不同的 地址 范围 将 是 accessed 和 不同的 总线 特性.
进入 至 非常 慢 memories 是 supported 通过 一个 particular ‘ready’ 函数. 一个 支撑/hlda
协议 是 有 为 总线 arbitration.
为 产品 这个 需要 较少 比 64 kbytes 的 外部 记忆 空间, 一个 非-segmented
记忆 模型 能 是 选择. 在 这个 情况 所有 记忆 locations 能 是 addressed 用 16 位 和
端口 4 是 不 必需的 至 输出 这 额外的 段 地址 线条.
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