ADM809-5SART_集成电路资料查询网

–2–
rev. 0
adm809-5s/l–specifications
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
V
CC
运行 电压 范围 1.0 3.3 5.5 V T
一个
= 0
°
c 至 +150
°
c 和 100 k
Ω
拉-向下 在 output
(图示 3)
1.2 3.3 5.5 V T
一个
= –40
°
c 至 +150
°
c 和 22 k
Ω
外部 拉-向上
在 输出 (图示 6)
供应 电流 24 60
µ
AV
CC
< 5.5 v, adm8_l, t
一个
= –40
°
c 至 +85
°
C
17 50
µ
AV
CC
< 3.6 v, adm8_s, t
一个
= –40
°
c 至 +85
°
C
100
µ
AV
CC
< 5.5 v, adm8_l, t
一个
= +85
°
c 至 +150
°
C
100
µ
AV
CC
< 3.6 v, adm8_s, t
一个
= +85
°
c 至 +150
°
C
重置 门槛
重置 电压 门槛
adm809-5l 4.5 4.75 V T
一个
= –40
°
c 至 +85
°
C
adm809-5l 4.40 4.86 V T
一个
= +85
°
c 至 +150
°
C
adm809-5s 2.85 3.00 V T
一个
= –40
°
c 至 +85
°
C
adm809-5s 2.78 3.08 V T
一个
= +85
°
c 至 +150
°
C
重置 门槛 温度 系数 30 ppm/
°
C
V
CC
至 重置 延迟 20
µ
sV
CC
= v
TH
至 (v
TH
–100 mv)
重置 起作用的 timeout 时期 30 55 80 ms T
一个
= –40
°
c 至 +150
°
C
重置
输出 电压 低 0.3 V V
CC
= v
TH
最小值, i
下沉
= 1.2 毫安, adm809-5s
0.4 V V
CC
= v
TH
最小值, i
下沉
= 3.2 毫安, adm809-5l
0.3 V V
CC
>1.0 v, i
下沉
= 50
µ
一个, t
一个
= 0
°
c 至 +150
°
C
V
CC
>1.2 v, i
下沉
= 50
µ
一个, t
一个
= –40
°
c 至 +150
°
C
重置
输出 电压 高 0.8 v
CC
VV
CC
> v
TH
最大值, i
源
= 500
µ
一个
V
CC
– 1.5 V V
CC
> v
TH
最大值, i
源
= 800
µ
一个
接合面 温度 –40 +150
°
C
(v
CC
= 全部 运行 范围, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, v
CC
典型值 = 5 v 为 l, 3.3 v 为 s
模型 除非 否则 指出.)
绝对 最大 比率
*
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +6 v
重置,
重置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
CC
+ 0.5 v
输入 电流
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
输出 电流
重置,
重置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
比率 的 上升, v
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 v/
µ
s
电源 消耗, rt-3 sot-23
减额 用 4 mw/
°
c 在之上 70
°
C . . . . . . . . . . . . . . . 320 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333
°
c/w
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . 300
°
C
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
*
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 为
扩展 时期 的 时间 将 影响 设备 可靠性.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 adm809-5s/l 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏
将 出现 在 设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 recommended 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备

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–2– rev. 0 adm809-5s/l–specifications 参数最小值典型值最大值单位测试情况/comments V CC 运行电压范围 1.0 3.3 5.5 V T 一个 = 0 ° c 至 +150 ° c 和 100 k Ω 拉-向下在 output (图示 3) 1.2 3.3 5.5 V T 一个 = –40 ° c 至 +150 ° c 和 22 k Ω 外部拉-向上在输出 (图示 6) 供应电流 24 60 µ AV CC < 5.5 v, adm8_l, t 一个 = –40 ° c 至 +85 ° C 17 50 µ AV CC < 3.6 v, adm8_s, t 一个 = –40 ° c 至 +85 ° C 100 µ AV CC < 5.5 v, adm8_l, t 一个 = +85 ° c 至 +150 ° C 100 µ AV CC < 3.6 v, adm8_s, t 一个 = +85 ° c 至 +150 ° C 重置门槛重置电压门槛 adm809-5l 4.5 4.75 V T 一个 = –40 ° c 至 +85 ° C adm809-5l 4.40 4.86 V T 一个 = +85 ° c 至 +150 ° C adm809-5s 2.85 3.00 V T 一个 = –40 ° c 至 +85 ° C adm809-5s 2.78 3.08 V T 一个 = +85 ° c 至 +150 ° C 重置门槛温度系数 30 ppm/ ° C V CC 至重置延迟 20 µ sV CC = v TH 至 (v TH –100 mv) 重置起作用的 timeout 时期 30 55 80 ms T 一个 = –40 ° c 至 +150 ° C 重置输出电压低 0.3 V V CC = v TH 最小值, i 下沉 = 1.2 毫安, adm809-5s 0.4 V V CC = v TH 最小值, i 下沉 = 3.2 毫安, adm809-5l 0.3 V V CC >1.0 v, i 下沉 = 50 µ 一个, t 一个 = 0 ° c 至 +150 ° C V CC >1.2 v, i 下沉 = 50 µ 一个, t 一个 = –40 ° c 至 +150 ° C 重置输出电压高 0.8 v CC VV CC > v TH 最大值, i 源 = 500 µ 一个 V CC – 1.5 V V CC > v TH 最大值, i 源 = 800 µ 一个接合面温度 –40 +150 ° C (v CC = 全部运行范围, t 一个 = t 最小值至 t 最大值 , v CC 典型值 = 5 v 为 l, 3.3 v 为 s 模型除非否则指出.) 绝对最大比率 * (t 一个 = 25 ° c 除非否则指出) V CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +6 v 重置, 重置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v CC + 0.5 v 输入电流 V CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安输出电流重置, 重置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安比率的上升, v CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 v/ µ s 电源消耗, rt-3 sot-23 减额用 4 mw/ ° c 在之上 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . . 320 mw θ JA 热的阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333 ° c/w 含铅的温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . 300 ° C vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215 ° C infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220 ° C 存储温度范围 . . . . . . . . . . . . . –65 ° c 至 +150 ° C * 压力在之上那些列表下面绝对最大比率将导致 perma- nent 损坏至这设备. 这个是一个压力比率仅有的; 函数的运作的这设备在这些或者任何其它情况在之上那些列表在这运算的 sections 的这个规格是不暗指. 暴露至绝对最大比率为扩展时期的时间将影响设备可靠性. 提醒静电释放 (静电的释放) 敏感的设备. 静电的 charges 作高作 4000 v readily accumulate 在这人身体和测试设备和能释放没有发现. 虽然这 adm809-5s/l 特性专卖的静电释放保护电路系统, 永久的损坏将出现在设备 subjected 至高-活力静电的 discharges. 因此, 恰当的静电释放预防措施是 recommended 至避免效能降级或者丧失的符合实际. WARNING! 静电释放敏感的设备

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