SC1110
下沉 和 源 直流/直流 控制 为
末端 电源 供应 产品
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初步的 - october 9, 2000
3
块 图解
电的 特性
除非 指定: v
CC
= 4.75v 至 12.6v; 地 = pgnd = 0v; fb = v
O
; v
BSTL
= 12v; v
bsth-阶段
= 12v; t
J
= 25
o
C
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
场效应晶体管 驱动器
顶峰 dh 下沉/源 电流 bsth - dh = 4.5v, dh - 阶段 = 3.0v 0.5 一个
dh - 阶段 = 1.5v 0.1
顶峰 dl 下沉/源 电流 bstl - dl = 4.5v, dl - 地 = 3.0v 0.5 一个
dl - 地 = 1.5v 0.1
保护
在 电流 设置 isource V
OCSET
= 4.5v 180 200 220 µA
软 开始
承担 电流 V
SS
= 1.5v 10 µA
释放 电流 V
SS
= 1.5v 2 µA
电源 好的
upper 门槛 112 %
更小的 门槛 88 %
PWrgd 电压 低 I
PWRGD
= 2ma 0.5 V
涉及
refout 源 电流 3 毫安
输入 偏差 58µA
便条:
(1) 规格 谈及 至 应用 电路 (图示 1.).
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