SC1405
高 速 同步的 电源
场效应晶体管 smart 驱动器
© 2000 semtech corp. 652 mitchell road 新bury 园区 ca 91320
8月 31, 2000
4
电的 特性 (直流 运行 规格) 内容.
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
交流 运行 规格
高-一侧 驱动器
上升 时间 tr
TG
, ci = 3nf, v
BST
- v
DRN
= 4.6v, 16
25
ns
下降 时间 tf
TG
ci = 3nf, v
BST
- v
DRN
= 4.6v, 17
27
ns
传播 延迟 时间,
tg going 高
tpdh
TG
ci = 3nf, v
BST
- v
DRN
= 4.6v,
c-延迟=0
35
56
ns
传播 延迟 时间,
tg going 低
tpdl
TG
ci = 3nf, v
BST
- v
DRN
= 4.6v, 25
40
ns
低-一侧 驱动器
上升 时间 tr
BG
ci = 3nf, v
v_5
= 4.6v, 20
32
ns
下降 时间 tr
BG
ci = 3nf, v
v_5
= 4.6v, 18
29
ns
传播 延迟 时间
bg going 高
tpdh
BGHI
ci = 3nf, v
v_5
= 4.6v,
drn <
1V
45
72
ns
progagation 延迟 时间
bg going 低
tpdl
BG
ci = 3nf, v
v_5
= 4.6v, 12
20
ns
下面-电压 lockout
v_5 ramping 向上 tpdh
UVLO
en 是 高 10 美国
v_5 ramping 向下 tpdl
UVLO
en 是 高 10 美国
PRDY
en 是 transitioning 从 低 至
高
tpdhPRDY v_5 >
uvlo 门槛, 延迟
量过的 从 en >
2.0v 至
prdy >
3.5v
10 µs
en 是 transitioning 从 高 至
低
tpdh
UVLO
v_5 >uvlo 门槛. 延迟
量过的 从 en <
0.8v tp
prdy <
10% 的 v_5
500 µs
dsps_dr
上升/下降 时间 tr
dsps_dr,
tf
dsps_dr
ci = 100pf, v_5 = 4.6v, 20 ns
传播 延迟,
dsps_dr going 高
tpdh
dsps_dr
s_mod 变得 高 和
bg 变得 高 或者 s_mod 变得 低
10 ns
传播 延迟
dsps_dr 变得 低
tpdl
dsps_dr
s_mod 变得 高 和 bg 变得
低
10 ns
超（电）压 保护
传播 延迟
ovp_s going 高
tpdh
ovp_s
v_5 = 4.6v, t
J
= 125°c, ovp_s >
1.2v 至 bg > 90% 的 v_5
1µs
便条:
(1) 这个 设备 是 静电释放 敏感的. 使用 的 标准 静电释放 处理 预防措施 是 必需的.
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