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2004 semtech corp. www.semtech.com
SC1485
电源 管理
产品 信息 (内容.)
电流 限制 电路
电流 限制的 的 这 sc1485 能 是 accomplished 在
二 方法. 第一, 这 设备 能 执行 在-状态 re-
sistance 的 这 低-一侧 场效应晶体管 作 这 电流 感觉到
元素 (rds
在
感觉到). 第二, 这 设备 能 接受
一个 resistive 元素 在 这 低-一侧 源 (r
sense,
电阻
感觉到). 这 第二 方法 提供 更好 精度 的
这 电流 限制 门槛 在 rds
在
感觉到, 在 这
增加 费用 的 一个 sense 电阻 和 有关联的 effi-
ciency 丧失.
whether rds
在
感觉到 或者 r
SENSE
电阻 感觉到 是 使用,
一个 范围调整 电阻 在 lx 和 ilim 是 必需的. 这个
电阻, r
ILIM
, 是 连接 至 一个 10ua 电流 源
在里面 这 sc1485 通过 这 ilim 管脚. 这个 sets 一个 volt-
age 漏出 equal 至 10ua 时间 r
ILIM
. 作 这 电流 在-
creases 通过 这 更小的 场效应晶体管, 这 阶段 管脚 volt-
age 将 decrease 直到 这 补偿 电压 造成 用 r
ILIM
是 reached 和 ilim < pgnd. 在 这个 要点 一个 在-cur-
rent trip 信号 是 issued. 电流 限制的 将 阻止 这
firing 的 一个 dh 在-脉冲波, 因此 减少 这 切换
频率. 作 这 频率 减少, 这 输出 volt-
age 将 漏出 直到 一个 下面-电压 关闭 是 reached.
这 电流 感觉到 电路 的确 限制 这 inductor
valley 电流 (看 图示 2). 这个 意思 那 如果 这 cur-
rent 限制 是 设置 至 10a, 这 顶峰 电流 通过 这
inductor 将 是 10a 加 这 顶峰 波纹 电流, 和
这 平均 电流 通过 这 inductor 将 是 10a
加 1/2 这 顶峰-至-顶峰 波纹 电流. 这 equations
为 设置 这 valley 电流 和 calculating 这 平均
电流 通过 这 inductor 是 显示 在下:
()
在
ILIM
OC
RDS
R
A10ValleyIL
•µ=
()()
2
I
ValleyILAverageIL
L
OCOC
∆
+=
图示 2
图示 3
这 图式 的 rds
在
感觉到 电路 是 显示 在 图-
ure 3 和 r
ILIM
= r1 和 rds
在
的 q2.
similarly, 为 电阻 感觉到, 这 电流 通过 这
更小的 场效应晶体管 和 这 源 sense 电阻 develops 一个
电压 那 opposes 这 电压 开发 横过
R
ILIM
.当 这 电压 开发 横过 这 r
SENSE
resis-
tor reaches 电压 漏出 横过 r
ilim,
一个 在-电流 ex-
ists 和 这 高 一侧 场效应晶体管 将 不 是 允许 至 转变
在. 这 在-电流 等式 当 使用 一个 外部
sense 电阻 是:
()
SENSE
ILIM
OC
R
R
A10ValleyIL
•µ=
图式 的 电阻 感觉到 电路 是 显示 在 图示 4
和 r
ILIM
= r1 和 r
SENSE
= r4.
R4
C2
D1
R1
+
C3
+5V
D2
SC1485
FBK
Q1
Q2
+VIN
R3
1
2
3
4
5
6
7
PGND
DL
VDDP
ILIM
LX
DH
BST
+
C1
L1
0.5v - 5.5v
R2
图示 4
I
限制
I
加载
I
顶峰
inductor currenT
时间
valley 电流-限制 门槛 要点
C2
0.5v - 5.5v
Q1
SC1485
R2
+
C1
R1
1
2
3
4
5
6
7
PGND
DL
VDDP
ILIM
LX
DH
BST
L1
FBK
+VIN
Q2
D1
+5V
+
C3
R3
D2
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