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SC1405
高 速 同步的 电源
场效应晶体管 smart 驱动器
© 2000 semtech corp. 652 mitchell road  新bury 园区  ca 91320
8月 31, 2000
3
电的 特性 (直流 运行 规格) 内容.
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
超（电）压 保护
trip 门槛 V
TRIP
1.145 1.2 1.255 V
Hysteresis Vhys
OVP
0.8 V
s_mod
高 水平的 输入 电压 V
IH
2.0 V
低 水平的 输入 电压 V
IL
0.8 V
使能
高 水平的 输入 电压 V
IH
2.0 V
低 水平的 输入 电压 V
IL
0.8 V
CO
高 水平的 输入 电压 V
IH
2.0 V
低 水平的 输入 电压 V
IL
0.8 V
热的 关闭
在 温度 trip 要点 T
OTP
165 °C
Hysteresis T
HYST
10 °C
高-一侧 驱动器
顶峰 输出 电流 I
PKH
1.5 一个
输出 阻抗 Rsrc
TG
Rsink
TG
职责 循环 < 2%, tpw < 100µs,
T
J
= 125°c, v
BST
- v
DRN
= 4.5v,
V
TG
= 4.0v (src)+v
DRN
或者 v
TG
= 0.5v (下沉)+v
DRN
1.4
1.4
Ω
Ω
低-一侧 驱动器
顶峰 输出 电流 I
PKL
2A
输出 阻抗 Rsrc
BG
Rsink
BG
职责 循环 < 2%, tpw < 100µs,
T
J
= 125°c
V
v_5
= 4.6v, v
BG
= 4v (src),
或者 v
LOWDR
= 0.5v (下沉)
2
2
Ω
Ω

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SC1405 高速同步的电源场效应晶体管 smart 驱动器 © 2000 semtech corp. 652 mitchell road 新bury 园区 ca 91320 8月 31, 2000 3 电的特性 (直流运行规格) 内容. 参数标识情况最小值典型值最大值单位超（电）压保护 trip 门槛 V TRIP 1.145 1.2 1.255 V Hysteresis Vhys OVP 0.8 V s_mod 高水平的输入电压 V IH 2.0 V 低水平的输入电压 V IL 0.8 V 使能高水平的输入电压 V IH 2.0 V 低水平的输入电压 V IL 0.8 V CO 高水平的输入电压 V IH 2.0 V 低水平的输入电压 V IL 0.8 V 热的关闭在温度 trip 要点 T OTP 165 °C Hysteresis T HYST 10 °C 高-一侧驱动器顶峰输出电流 I PKH 1.5 一个输出阻抗 Rsrc TG Rsink TG 职责循环 < 2%, tpw < 100µs, T J = 125°c, v BST - v DRN = 4.5v, V TG = 4.0v (src)+v DRN 或者 v TG = 0.5v (下沉)+v DRN 1.4 1.4 Ω Ω 低-一侧驱动器顶峰输出电流 I PKL 2A 输出阻抗 Rsrc BG Rsink BG 职责循环 < 2%, tpw < 100µs, T J = 125°c V v_5 = 4.6v, v BG = 4v (src), 或者 v LOWDR = 0.5v (下沉) 2 2 Ω Ω

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