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资料编号:599415
 
资料名称:SC1405B
 
文件大小: 136.11K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED SYNCHRONOUS POWER MOSFET SMART DRIVER
 
 


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电源 管理
1
www.semtech.com
SC1405B
高 速 同步的 电源
场效应晶体管 smart 驱动器
特性
产品
修订: january 13, 2004
典型 应用 电路
描述
这 sc1405b 是 一个 双-场效应晶体管 驱动器 和 一个 内部的
overlap 保护 电路 至 阻止 shoot-通过. 各自
驱动器 是 有能力 的 驱动 一个 3000pf 加载 在 15ns 上升/
下降 时间 和 有 过激-低 传播 延迟 从 在-
overlap 保护 电路 确保 那 这 同步的
场效应晶体管 做 不 转变 在 直到 这 顶 场效应晶体管 源 有 reached
一个 电压 低 足够的 至 阻止 shoot-通过. 这 de-
lay 在 这 bottom 门 going 低 至 这 顶 门
transitioning 高 是 externally 可编程序的 通过 一个 ca-
pacitor 至 降低 dead 时间. 这 bottom 场效应晶体管 将 是
无能 在 明亮的 负载 用 keeping s_mod 低 至 触发
异步的 运作, 因此 节省 这 bottom 场效应晶体管’s
门 驱动 电流 和 inductor 波纹 电流. 一个 inter-
nal 电压 涉及 准许 门槛 调整 为
一个 输出 在-电压 保护 电路系统, 独立
的 这 pwm 控制.
下面-电压-锁-输出 电路 是 包含 至 保证
那 两个都 驱动器 输出 是 止 当 vcc 是 较少 比 或者
equal 至 4.4v (典型值) 在 供应 ramp 向上 (4.35v 在 供应
ramp 向下). 一个 cmos 输出 提供 状态 indication
的 这 5v 供应. 一个 低 使能 输入 places 这 ic 在 保卫-
用 模式, 减少 供应 电流 至 较少 比 10µa.
sc1405b 是 offered 在 一个 高 程度 (.025” 含铅的 间隔)
tssop 包装.
快 上升 和 下降 时间 (15ns 和 3000pf 加载)
14ns 最大值 传播 延迟 (bg going 低)
adaptive 和 可编程序的 shoot-通过
保护
宽 输入 电压 范围 (4.5-25v)
电源 节省 异步的 模式 控制
输出 超(电)压 保护/overtemp 关闭
下面-电压 锁-输出 和 电源 准备好 信号
较少 比 10µa 保卫-用 电流 (en=低)
改进 驱动 版本 的 sc1405ts
高 频率 (至 1.2mhz) 运作 准许 使用 的
小 inductors 和 低 费用 电容 在 放置 的
electrolytics
高 密度/快 瞬时 微处理器 电源
供应
发动机 驱动/类-d 放大器
高 效率 可携带的 计算机
+
(20khz-1mhz)
2.2
+
10uf,6.3v
MTB75N03
.1uf
SC1405
13
4
3
2
1
14
6
5 10
7
9
11
12
8
5817
MTB75N03
1.7v@30a
输入 电源, 5-20v
+
>>
75a,30v
75a,30v
<<< 输出 反馈 至 pwm
控制
+
+
在-电压 sense
47pF
.22uf
Vcc
+
<<
2.2
pwm 在
<<
p_准备好
+
dsps_dr
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