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SC1103
© 2000 semtech corp. 652 mitchell road  新bury 园区  ca
电压 模式 pwm 控制
初步的 - 二月 29, 2000
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管脚 # 管脚 名字 管脚 函数
1V
CC
Device 输入 电压
2C
s(-)
电流 sense 输入 (negative)
3C
s(+)
电流 sense 输入 (positive)
4P
地
Device 电源 地面
5 DH 高 一侧 driver 输出
6 BST 高 一侧 driver v
BST
(boost)
7 FB 错误 放大器 输入 (-)
8 地 小 信号 地面
参数 标识 最大 单位
输入 电压 V
CC
至 地 -0.3 至 14 V
地面 差别的 P
地
至 地 ± 1 V
boost 输入 电压 bst 至 地 -0.3 至 +26 V
运行 温度 T
一个
0 至 +70 °C
存储 温度 T
S
-45 至 +125 °C
含铅的 温度 (焊接) 10 秒 T
L
300 °C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
θ
JA
165 °c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
θ
JC
40 °c/w
管脚 描述
ABSOLUTe 最大 比率

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SC1103 © 2000 semtech corp. 652 mitchell road 新bury 园区 ca 电压模式 pwm 控制初步的 - 二月 29, 2000 2 管脚 # 管脚名字管脚函数 1V CC Device 输入电压 2C s(-) 电流 sense 输入 (negative) 3C s(+) 电流 sense 输入 (positive) 4P 地 Device 电源地面 5 DH 高一侧 driver 输出 6 BST 高一侧 driver v BST (boost) 7 FB 错误放大器输入 (-) 8 地小信号地面参数标识最大单位输入电压 V CC 至地 -0.3 至 14 V 地面差别的 P 地至地 ± 1 V boost 输入电压 bst 至地 -0.3 至 +26 V 运行温度 T 一个 0 至 +70 °C 存储温度 T S -45 至 +125 °C 含铅的温度 (焊接) 10 秒 T L 300 °C 热的阻抗, 接合面至包围的 θ JA 165 °c/w 热的阻抗, 接合面至情况 θ JC 40 °c/w 管脚描述 ABSOLUTe 最大比率

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