Silan
半导体
SC451XX
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.0 2000.12.31
9
典型 效能 特性
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
4.20
4.21
4.22
4.23
4.24
4.25
4.26
4.27
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 10
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 10
0
2.47
2.48
2.49
2.50
2.51
2.52
2.53
2.54
2.40
2.35
2.30
2.25
2.20
2.15
2.10
0.190
0.195
0.200
0.205
0.210
20
30
40
50
60
70
80
90
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
温度 topt(
) 温度 topt(
)
温度 topt(
)温度 topt(
)
温度 topt(
) 温度 topt(
)
输出 延迟 的 在-承担
t
VDET1
(ms)
Excess 电流 门槛
V
DET3
(v)
在-承担 门槛
V
DET1
(v)
输出 延迟 的 在-释放
t
VDET2
(ms)
短的 电路 protector 门槛
vshort(v)
在-释放 门槛
V
DET2
(v)
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