Silan
半导体
SC6122
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 2.2 2002-03-01
3
电的 特性
(tamb=25
°
c,
V
DD
=3.0v,除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
DD
2.0 3.0 5.5 V
电流 消耗量 1 I
DD1
Fosc =455KHz 0.1 1.0 毫安
电流 消耗量 2 I
DD2
Fosc =STOP 1.0
µ
一个
REM 高 水平的 输出 电流 I
OH1
vo=1.5v -5.0 -8.0 毫安
REM 低 水平的 输出 电流 I
OL1
vo=0.3v 15 30
µ
一个
LMP 高 水平的 输出 电流 I
OH2
vo=2.7v -15 -30
µ
一个
LMP 低 水平的 输出 电流 I
OL2
vo=0.3v 1 1.5 毫安
KI 高 水平的 输入 电流 I
IH1
V
在
=3.0v 5 30
µ
一个
KI 低 水平的 输入 电流 I
IL1
V
在
=0V -0.2
µ
一个
KI 高 水平的 输入 电压 V
IH1
0.7 V
DD
V
DD
V
KI 低 水平的 输入 电压 V
IL1
00.3v
DD
V
ki/o 高 水平的 输入 电压 V
IH2
0.7 V
DD
V
DD
V
ki/o 低 水平的 输入 电压 V
IL2
00.4v
ki/o 高 水平的 输入 电流 I
IH2
V
在
=3.0v 2 7
µ
一个
ki/o 低 水平的 输入 电流 I
IL2
V
在
=0V -0.2
µ
一个
ki/o 高 水平的 输出 电流 I
OH3
vo=2.5v 0.5 1.5 毫安
ki/o 低 水平的 输出 电流 I
OL3
vo=1.7v 1.5 2.5 毫安
CCS 低 水平的 输入 电压 V
IH3
1.1 V
CCS 高 水平的 输入 电流 I
IH3
拉 向上 V
在
=3.0v 0.2
µ
一个
CCS 低 水平的 输入 电流 I
IL3
拉 向上 V
在
=0V -3 -15
µ
一个
CCS 高 水平的 输入 电流 I
IH4
拉 向下 V
在
=3.0v 5 30
µ
一个
CCS 低 水平的 输入 电流 I
IL4
拉 向下 V
在
=0V -0.2
µ
一个
管脚 描述
管脚 非. 标识 i/o 描述
23,24,1~6 KI0~KI7 I 关键 输入 管脚 nos. 0~7
7 REM O 数据 输出 管脚
8V
DD
-- 电源 供应
9 SEL I 选择 管脚
10 OSCO O 振荡器 管脚
11 OSCI I 振荡器 管脚
12 Vss -- 电源 供应
13 LMP -- 输出 LED 指示信号
21~14 ki/o0~ki/o7 i/o 关键 输入/输出 管脚 nos.0~7
22 CCS I Custom 代号 Scan 输入 管脚
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