Silan
半导体
SC9235
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.0 2000.12.31
2
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
典型的 标识 值 单位
供应 电压 V
DD
-0.3 ~15 V
输入 电压 V
在
-0.3v ~ V
DD
+0.3v V
电源 消耗 P
D
300 mW
运行 温度 Topr -40 ~ +85
°
C
存储 温度 Tstg -55 ~ +150
°
C
电的 特性
(除非 否则 指定, Ta = 25
,v
DD
=
9v)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运行 供应 电压 V
DD
ta=-40 ~ 85
°
C
4.5 9.0 12 V
运行 供应 电流 I
DD
非 加载,fosc=20hz -- 0.3 1.0
µ
一个
Backup 电压 V
QD
2.0 -- 12 V
Backup 电流 I
QD
INH
="l"
-- 0.01 1.0
µ
一个
"h" 水平的 V
IH
0.7v
DD
-- V
DD
输入 电压
"l" 水平的 V
IL
所有 输入 管脚
0--0.3v
DD
V
"h" 水平的 I
IH
V
IH
=V
DD
-1 -- 1
输入 电流
"l" 水平的 I
IL
INH
输入 管脚
V
IL
=0V -1 -- 1
µ
一个
拉 向上 电阻 R
向上
向上
,
DN
,
INT
输入 管脚
23 47 71
k
Ω
容积 电阻 R
VR
在 在
地 电阻 31 44 58
k
Ω
相似物 转变 在 电阻 R
在
相似物 转变 在 电阻 -- 500 800
Ω
Attenuation 错误
∆
ATT
-- -- 0
±
2.0
dB
Balance 在 Left 和 正确的
∆
R
VR
容积 电阻 错误 在
left 和 正确的
-- 0
±
3.0
%
总的 调和的 扭曲量 THD 0dB -- 0.01 -- %
最大 Attenuation ATT
最大值
∞
dB
-- 100 -- dB
交叉 表达
C
.
T
-- 100 -- dB
输出 噪音 电压 V
N
F
IN=
1kHz
V
在
=1Vrms
R
L
=100k
Ω
Rg=600
Ω
0dB
-- 2.0 --
µ
电压有效值
OSC 频率 f
OSC
cx=2.2
µ
f, Rx=33k
Ω
-- 20 -- Hz
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