直线的 整体的 系统, 公司
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身体 效应
为 一个 场效应晶体管 和 一个 uniformly 掺麻醉剂
基质, 这 threshold 电压 是 均衡的
至 这 正方形的 root 的这 应用 源-至-身体
电压. 这 sd5000 家族 有 一个 非-uniform
基质, 和 这 v
gs(th)
behaves somewhat
differently. 图示 7 显示 这 典型 v
gs(th)
变化 作 一个 函数的 这 源-至-身体
电压 vsb.
作 这 身体 电压 增加 在 这 负的
方向, 这 门槛变得 向上. consequently,
如果 v
GS
是 小, 这 在-阻抗 的 这 频道
能 是 非常 高. 图示8 显示 这 影响 的
V
SB
和 v
GS
在 r
ds(在)
. 因此, 至 维持 一个
低 在-阻抗 它 是preferable 至 偏差 这
身体 至 一个 电压 关闭 至 这 负的 顶峰 的
V
S
和 使用 一个 门 电压 作 高 作 可能.
承担 injection
承担 injection describes 那 phenomenon 用
这个 一个 电压 excursion 在 这 门 生产
一个 injection 的 electric charges 通过 这 门-至-
流 和 这 门-至-source capacitances 在
这 相似物 信号 path.另一 popular 名字
为 这个 phenomenon 是 “switching 尖刺."
V
gs(th)
1µA
V+
图示 6. 门槛 voltage 测试 配置
V
gs(th)
1µA
V
SB
D
S
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
048121620
V
SB
(v)
V
gs(th)
(v)
图示 7. 门槛 vs 源 至 身体 电压
V
GS
V
SB
D
S
1mA
V
D
300
240
180
120
60
0
048121620
V
SB
(v)
r
ds(在)
(
Ω
)
V
GS
= 4 v
5 v
10 v
图示 8. 在 阻抗 vs 源 至 身体 和
门 至 源 电压
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