FJP13007H1_集成电路资料查询网

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fjp13007 rev. d
fjp13007  高 电压 快-切换 npn 电源 晶体管
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
h
FE
分类
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 0 400 V
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 9v, i
C
= 0 1 毫安
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 * V
CE
= 5v, i
C
= 2a
V
CE
= 5v, i
C
= 5a
8
5
60
30
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2a, i
B
= 0.4a
I
C
= 5a, i
B
= 1a
I
C
= 8a, i
B
= 2a
1.0
2.0
3.0
V
V
V
V
是(sat)
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 2a, i
B
= 0.4a
I
C
= 5a, i
B
= 1a
1.2
1.6
V
V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 10v, i
C
= 0.5a 4 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= 10v, f = 0.1mhz 110 pF
t
在
转变 在 时间 V
CC
= 125v, i
C
= 5a
I
B1
= -i
B2
= 1a
R
L
= 25
Ω
1.6
µ
s
t
STG
storge 时间 3.0
µ
s
t
F
下降 时间 0.7
µ
s
分类 h1 H2
h
FE1
15 ~ 28 26 ~ 39

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2 www.fairchildsemi.com fjp13007 rev. d fjp13007 高电压快-切换 npn 电源晶体管电的特性 T C = 25°c 除非否则指出 * 脉冲波测试: pw ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2% h FE 分类标识参数情况最小值典型值最大值单位 BV CEO 集电级-发射级损坏电压 I C = 10ma, i B = 0 400 V I EBO 发射级截-止电流 V EB = 9v, i C = 0 1 毫安 h FE1 h FE2 直流电流增益 * V CE = 5v, i C = 2a V CE = 5v, i C = 5a 8 5 60 30 V ce(sat) 集电级-发射级饱和电压 I C = 2a, i B = 0.4a I C = 5a, i B = 1a I C = 8a, i B = 2a 1.0 2.0 3.0 V V V V 是(sat) 根基-发射级饱和电压 I C = 2a, i B = 0.4a I C = 5a, i B = 1a 1.2 1.6 V V f T 电流增益带宽产品 V CE = 10v, i C = 0.5a 4 MHz C ob 输出电容 V CB = 10v, f = 0.1mhz 110 pF t 在转变在时间 V CC = 125v, i C = 5a I B1 = -i B2 = 1a R L = 25 Ω 1.6 µ s t STG storge 时间 3.0 µ s t F 下降时间 0.7 µ s 分类 h1 H2 h FE1 15 ~ 28 26 ~ 39

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