sfh 235 fa
半导体 组 3 1998-04-20
dunkelstrom,
V
R
= 10 v
dark 电流
I
R
2 (
≤
30) nA
spektrale fotoempfindlichkeit
谱的 敏锐的
S
λ
0.63 一个/w
Quantenausbeute
quantum yield
η
0.9 Electrons
Photon
leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mw/cm
2
打开-电路 电压
V
O
320 (
≥
250) mV
kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mw/cm
2
短的-电路 电流
I
SC
22
µ
一个
anstiegs- und abfallzeit des fotostromes
上升 和 下降 时间 的 这 photocurrent
R
L
= 50
Ω
;
V
R
= 5 v;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µ
一个
t
r
,
t
f
20 ns
durchlaßspannung,
I
F
= 100 毫安,
E
= 0
向前 电压
V
F
1.3 V
kapazität,
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz,
E
= 0
电容
C
0
72 pF
temperaturkoeffizient von
V
O
温度 系数 的
V
O
TC
V
– 2.6 mv/k
temperaturkoeffizient von
I
SC
温度 系数 的
I
SC
TC
I
0.03 %/k
rauschäquivalente strahlungsleistung
噪音 相等的 电源
V
R
= 10 v
NEP
4.0
×
10
– 14
W
√
Hz
nachweisgrenze,
V
R
= 10 v
发现 限制
D* 6.6
×
10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c,
λ
= 870 nm)
特性
(内容’d)
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
值
Einheit
单位
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