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资料编号:606777
 
资料名称:SGL50N60RUF
 
文件大小: 563.62K
   
说明
 
介绍:
Short Circuit Rated IGBT
 
 


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sgl50n60ruf rev. a1
SGL50N60RUF
©2002 仙童 半导体 公司
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 饱和 电压
特性
图 3. 饱和 电压 vs. 情况
温度 在 variant 电流 水平的
图 4. 加载 电流 vs. 频率
图 5. 饱和 电压 vs. v
GE
图 6. 饱和 电压 vs. v
GE
02468
0
20
40
60
80
100
120
140
20V
12V
15V
V
GE
= 10v
一般 发射级
T
C
= 25
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
110
0
20
40
60
80
100
120
140
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
= 25
━━
T
C
= 125
------
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
-50 0 50 100 150
0
1
2
3
4
5
50A
100A
I
C
= 30a
一般 发射级
V
GE
= 15v
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
]
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 25
100A
50A
I
C
= 30a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 125
100A
50A
I
C
= 30a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
1 10 100 1000
职责 循环 : 50%
T
C
= 100
电源 消耗 = 70w
V
CC
= 300v
加载 电流 : 顶峰 的 正方形的 波
频率 [khz]
加载 电流 [a]
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