sgl50n60rufd rev. a1
SGL50N60RUFD
©2002 仙童 半导体 公司
电的 特性 的 这 igbt
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性 的 二极管
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 250ua 600 -- -- V
∆
B
VCES
/
∆
T
J
温度 系数 的 损坏
电压
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma -- 0.6 -- v/
°
C
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v -- -- 250 uA
I
GES
g-e 泄漏 电流 V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v -- -- ± 100 nA
在 特性
V
ge(th)
g-e 门槛 电压 ic = 50ma, v
CE
= v
GE
5.0 6.0 8.5 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级
饱和 电压
I
C
= 50a
,
V
GE
= 15v
-- 2.2 2.8 V
I
C
= 80a
,
V
GE
= 15v
-- 2.5 -- V
动态 特性
C
ies
输入 电容
V
CE
=30V
,
V
GE
= 0v,
f = 1mhz
-- 3311 -- pF
C
oes
输出 电容 -- 399 -- pF
C
res
反转 转移 电容 -- 139 -- pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 50a,
R
G
= 5.9
Ω
, v
GE
= 15v,
inductive 加载, t
C
= 25
°
C
-- 26 -- ns
t
r
上升 时间 -- 89 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 66 100 ns
t
f
下降 时间 -- 118 200 ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 1.68 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 1.03 -- mJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 2.71 3.8 mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 50a,
R
G
= 5.9
Ω
, v
GE
= 15v,
inductive 加载, t
C
= 125
°
C
-- 28 -- ns
t
r
上升 时间 -- 91 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 68 110 ns
t
f
下降 时间 -- 261 400 ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 1.7 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 2.31 -- mJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 4.01 5.62 mJ
T
sc
短的 电路 承受 时间
V
CC
= 300 v, v
GE
= 15v
@
T
C
= 100
°
C
10 -- -- 美国
Q
g
总的 门 承担
V
CE
= 300 v, i
C
= 50a,
V
GE
= 15v
-- 145 210 nC
Q
ge
门-发射级 承担 -- 25 35 nC
Q
gc
门-集电级 承担 -- 70 100 nC
L
e
内部的 发射级 电感 量过的 5mm 从 pkg -- 18 -- nH
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
FM
二极管 向前 电压 I
F
= 30a
T
C
= 25
°
C
-- 1.9 2.8
V
T
C
= 100
°
C
-- 1.8 --
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
I
F
= 30a,
di/dt = 200 一个/美国
T
C
= 25
°
C
-- 70 100
ns
T
C
= 100
°
C
-- 140 --
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复
电流
T
C
= 25
°
C
-- 6 7.8
一个
T
C
= 100
°
C
-- 8 --
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
T
C
= 25
°
C
-- 200 360
nC
T
C
= 100
°
C
-- 580 --
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