sgl160n60ufd rev. b1
SGL160N60UFD
©2002 仙童 半导体 公司
20 40 60 80 100 120 140 160
20
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 3.9
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
20 40 60 80 100 120 140 160
10
100
500
Ton
Tr
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 3.9
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
11080
30
100
1000
2000
Toff
Tf
Tf
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 80a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
11080
20
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 80a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
图 7. 电容 特性
图 8. 转变-在 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
11030
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
电容 [pf]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
11080
1000
10000
Eoff
Eon
Eoff
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 80a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
切换 丧失 [uj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]