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资料编号:606813
 
资料名称:SGM2013
 
文件大小: 54.89K
   
说明
 
介绍:
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
 
 


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– 3
SGM2013N
I
D
vs. v
G2S
V
G2S
– 门 2 至 源 电压 [v]
–2.0 –1.5 –1.0 –0.5 0
0
2
4
6
8
10
(v
DS
= 2v)
I
D
– 流 电流 [ma]
–1.0v
–0.8v
–0.6v
–0.4v
–0.2v
V
G1S
= 0v
gm vs. v
G1S
V
G1S
– 门 1 源 电压 [v]
–2.0 –1.5 –1.0 –0.5 0
0
5
10
15
20
25
(v
DS
= 2v)
gm – 向前 转移 admittance [ms]
–0.75v
–0.5v
–0.25v
0V
0.25v
V
G2S
= 0.5v
nf, ga vs. v
G1S
V
G1S
– 门 1 至 源 电压 [v]
–1.0 –0.6 –0.2 0.2
0
1
2
3
4
5
(v
DS
= 2v, v
G2S
= 0.5v, f = 900mhz)
nf – 噪音 图示 [db]
0
5
10
15
20
25
–0.8 –0.4 0
ga – 有关联的 增益 [db]
Ga
NF
nf, ga vs. v
DS
V
DS
– 流 至 源 电压 [v]
0 2 4
0
1
2
3
4
5
nf – 噪音 图示 [db]
0
5
10
15
20
25
1 3 5
ga – 有关联的 增益 [db]
Ga
NF
nf, ga vs. i
D
I
D
– 流 电流 [ma]
0 4 8 11
0
1
2
3
4
5
(v
DS
= 2v, v
G2S
= 0.5v, f = 900mhz)
nf – 噪音 图示 [db]
0
5
10
15
20
25
2 6 10
ga – 有关联的 增益 [db]
Ga
NF
1 5 93 7
nf, ga vs. f
f – 频率 [ghz]
0 0.8 1.6 2.2
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
(v
DS
= 2v, v
G2S
= 0.5v, i
D
= 2ma)
nf 最小值 – 最小 噪音 图示 [db]
0
5
10
15
25
30
0.4 1.2 2.0
ga – 有关联的 增益 [db]
Ga
0.2 1.0 1.80.6 1.4
20
0.5
NFmin
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