sgp30n60, SGB30N60
SGW30N60
2jul-02
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值 单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
0.5
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
至-220ab
至-247ac
62
40
smd 版本, 设备 在 pcb
1)
R
thJA
至-263ab 40
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=500
µ
一个
600 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=30A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
1.7
-
2.1
2.5
2.4
3.0
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=700
µ
一个,
V
CE
=
V
GE
345
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=600v,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
40
3000
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 nA
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=30A
-20-s
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 1600 1920
输出 电容
C
oss
- 150 180
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
- 92 110
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=480v,
I
C
=30A
V
GE
=15V
- 140 182 nC
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
至-220ab
至-247ac
-
-
7
13
-nh
短的 电路 集电级 电流
2)
I
c(sc)
V
GE
=15v,
t
SC
≤
10
µ
s
V
CC
≤
600v,
T
j
≤
150
°
C
- 300 - 一个
1)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为
集电级 连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
2)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.