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资料编号:607179
资料名称:
SH8G41
文件大小: 171.76K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA HIGH−SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SH8G41
2001-07-10
2
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试 情况
最小值 最大值
单位
repetitive 顶峰 止
−
状态 和 反转
电流
I
DRM
I
RRM
V
DRM
= v
RRM
= 400v
―
250
µA
顶峰 在
−
状态 电压
V
TM
I
TM
= 25a
―
2.3
V
门 触发 电压
V
GT
―
1.5
V
门 触发 电流
I
GT
V
D
= 6v, r
L
= 10
Ω
―
50 毫安
门 非
−
触发 电压
V
GD
V
D
= 200v, ta = 125°c
0.2
―
V
支持 电流
I
H
R
L
= 100
Ω
―
150
毫安
commutating 电容
C
c
C
M
= 1000µf, v
CM
= 350v, i
TM
= 230a
L
M
= 50µh, v
GR
=
−
6V
―
2.7 µf
热的 阻抗
R
th (j
−
一个)
接合面 至 包围的
―
90 °c / w
标记
号码 标识
MARK
*1 类型
SH8G41
SH8G41
*2
例子
8a : january 1998
8b : 二月 1998
8l : 12月 1998
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