Si1539DL
vishay siliconix
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2-2
文档 号码: 71250
s-21374
—
rev. b, 12-8月-02
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 n-ch 1.0
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
一个 p-ch -1.0
V
n-ch
100
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
p-ch
100
nA
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v n-ch 1
V
DS
= -24 v, v
GS
= 0 v p-ch -1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C n-ch 5
一个
V
DS
= -24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C p-ch -5
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v n-ch 1.0
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-5 v, v
GS
= -10 v p-ch -1.0
一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.59 一个 n-ch 0.410 0.480
V
GS
= -10 v, i
D
= -0.42 一个 p-ch 0.800 0.940
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.2 一个 n-ch 0.600 0.700
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -0.2 一个 p-ch 1.5 1.700
V
DS
= 15 v, i
D
= 0.59 一个 n-ch 0.75
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= -15 v, i
D
= -0.42 一个 p-ch 0.5
S
I
S
= 0.23 一个, v
GS
= 0 v n-ch 0.8 1.2
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= -0.23 一个, v
GS
= 0 v p-ch -0.86 -1.2
V
动态
b
n-ch 0.86 1.4
总的 门 承担 Q
g
n-频道
p-ch 0.9 1.4
n-频道
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.59 一个
n-ch 0.24
门-源 承担 Q
gs
p-频道
p-ch 0.21
nC
V
DS
= -15 v,
V
GS
= -10 v, i
D
= -0.42 一个
n-ch 0.08
门-流 承担 Q
gd
p-ch 0.17
n-ch 5 10
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
p-ch 4 10
n-频道
n-ch 8 15
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 30
I
D
0.5 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
p-ch 8 15
p-频道
n-ch 8 15
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
p-频道
V
DD
= -15 v, r
L
= 30
I
-0.5 一个, v
= -10 v, r = 6
p-ch 5 10
ns
I
D
-0.5 一个, v
GEN
= -10 v, r
G
= 6
n-ch 7 15
下降 时间 t
f
p-ch 7 15
源-流
I
F
= 0.23 一个, di/dt = 100 一个/
s n-ch 15 30
源-流
反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= -0.23 一个, di/dt = 100 一个/
s p-ch 20 40
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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