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资料编号:607556
 
资料名称:SI1016X
 
文件大小: 53.4K
   
说明
 
介绍:
Complementary N and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1016X
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71168
s-03104
rev. 一个, 08-二月-01
www.vishay.com
3
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
 
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0 200 400 600 800 1000
0
200
400
600
800
1000
1200
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
GS
= 5 thru 1.8 v
T
C
=
55
C
125
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
1 v
I
D
- 流 电流 (毫安)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
20
40
60
80
100
0 4 8 12 16 20
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
50
25 0 25 50 75 100 125
0
1
2
3
4
5
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 250 毫安
I
D
流 电流 (毫安)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 350 毫安
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
C
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 1.8 v
I
D
= 150 毫安
V
GS
= 1.8 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
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