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资料编号:607610
 
资料名称:SI1403DL
 
文件大小: 68.35K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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Si1403DL
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71072
s-01559—rev. b, 17-jul-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
  
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
100
200
300
400
500
600
0 4 8 12 16 20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
01234
0
0.08
0.16
0.24
0.32
0.40
01234
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 1.5 一个
I
D
– 流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 1.5 一个
V
GS
= 3.6 v
V
GS
= 2.5 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
c – 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
– 接合面 温度 (
c)
(normalized)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
012345
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 1.5 一个
5
1
0.1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 0.8 一个
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