Si2301BDS
vishay siliconix
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2
文档 号码: 72066
s-31990—rev. b, 13-oct-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=-250
一个 -20
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=-250
一个 -0.45 -0.95
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=-20 v, v
GS
= 0 v -1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=-20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C -10
一个
在 状态 流 电流
一个
I
d( )
V
DS
-5 v, v
GS
=-4.5 v -6
一个在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-5 v, v
GS
=-2.5 v -3
一个
流 源 在 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=-4.5 v, i
D
=-2.8 一个 0.080 0.100
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=-2.5 v, i
D
=-2.0 一个 0.110 0.150
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=-5 v, i
D
=-2.8 一个 6.5 S
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
=-0.75 一个, v
GS
= 0 v -0.80 -1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
4.5 10
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=-6 v, v
GS
=-4.5 v
I
D
-2.8 一个
0.7
nC
门-流 承担 Q
gd
I
D
-2.8 一个
1.1
输入 电容 C
iss
375
输出 电容 C
oss
V
DS
=-6 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
95
pF
反转 转移 电容 C
rss
65
切换
c
转变 在 时间
t
d(在)
20 30
转变-在 时间
t
r
V
DD
=-6 v, r
L
= 6
I
D
-10 一个 v
GEN
=-45 v
40 60
ns
转变-止 时间
t
d(止)
I
D
-1.0 一个, v
GEN
=-4.5 v
R
G
= 6
30 45
ns
转变-止 时间
t
f
20 30
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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