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资料编号:607672
 
资料名称:SI2303DS
 
文件大小: 56.05K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si2303DS
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-4
文档 号码: 70770
s-49557—rev. b, 27-apr-98
  
   
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
门槛 电压
variance (v)v
gs(th)
电源 (w)
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
0.01 0.10 1.00 10.00
–0.2
–0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
–50 0 50 100 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0246810
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
130
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
I
D
= 1.7 一个
I
D
= 250
一个
10
1
10
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
0
2
4
6
8
10
T
J
– 温度 (
c)
时间 (秒)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v)
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