Si2312DS
vishay siliconix
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2
文档 号码: 71338
s-31990—rev.d, 13-oct-03
规格 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 v(
br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
20
V
门-门槛 voltage V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
0.45 0.65 0.85
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
75
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
10 v, v
GS
= 4.5 v 15 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.0 一个 0.027 0.033
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 4.5 一个 0.033 0.040
ds(在)
V
GS
= 1.8 v, i
D
= 4.0 一个 0.042 0.051
向前 transconductance
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 5.0 一个 40 S
二极管 向前电压 V
SD
I
S
= 1.0 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
11.2 14.0
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v, v
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.0 一个
1.4
nC
门-流 承担 Q
gd
DS GS D
2.2
切换
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
15 25
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 10
40 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 10 v,R
L
= 10
I
D
1.0 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
48 70
ns
下降-时间 t
f
31 45
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.0 一个, di/dt = 100 一个/
s
13 25
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
3
6
9
12
15
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0
3
6
9
12
15
01234
V
GS
= 4.5 thru 2.0 v
T
C
= 125
C
-55
C
1.5 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
1.0 v
0.5 v