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资料编号:607693
 
资料名称:Si2304BDS-T1-E3
 
文件大小: 73.63K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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1
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Si2304BDS
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72503
s-32412—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.070 @ v
GS
= 10 v 3.2
30
0.105 @ v
GS
= 4.5 v 2.6
G
S
D
顶 视图
2
3
至-236
(sot-23)
1
si2304bds (l4)*
*marking 代号
订货 信息: si2304bds-t1—e3
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
3.2 2.6
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
2.5 2.1
一个
搏动 流 电流 I
DM
10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
0.9 0.62
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.08 0.75
W最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.69 0.48
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
90 115
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
130 166
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
60 75
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒.
b. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
c. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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