飞利浦 半导体
SI2302DS
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 20 十一月 2001 6 的 12
9397 750 09107
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03ae93
0
2
4
6
8
10
0 0.5 1 1.5
V
DS
(v)
I
D
(一个)
2 v
2.5 v3 v4.5 v
V
GS
= 1.5v
03ae95
0
2
4
6
8
10
0123
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 150 ºc
25 ºc
03ae94
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0246810
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
T
j
= 25 ºc V
GS
= 2.5 v
4.5 v
3 v
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60 0 60 120 180
T
j
(ºc)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
----------------------------
=
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