飞利浦 半导体
SI2304DS
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 17 8月 2001 5 的 12
9397 750 08526
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C3040
−
V
T
j
=
−
55
°
C27
−−
V
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 1.5 2
−
V
T
j
= 150
°
C 0.5
−−
V
T
j
=
−
55
°
C
−−
2.7 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=30v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C
−
0.01 0.5
µ
一个
T
j
= 150
°
C
−−
10
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
10 v; v
DS
=0V
−
10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 500 毫安; 图示 7 和 8
T
j
=25
°
C
−−
117 m
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
= 500 毫安
T
j
=25
°
C
−−
190 m
Ω
T
j
= 150
°
C
−−
300 m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v; i
D
= 1 一个 1.4 2.5
−
S
Q
g(tot)
总的 门 承担 V
DD
=15v; v
GS
=10v; i
D
= 0.5 一个; 图示 13
−
4.6 nC
Q
gs
门-源 承担
−
0.6
−
nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担
−
1.35 1.83 nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 10 v; f = 1 mhz; 图示 11
−
147 195 pF
C
oss
输出 电容
−
65 78 pF
C
rss
反转 转移 电容
−
41 56 pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; r
L
=15
Ω
; v
GS
=10V
−
46ns
t
r
上升 时间
−
7.5 12 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
−
18 35 ns
t
f
下降 时间
−
13 19 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 0.83 一个; v
GS
=0v;图示 12
−
0.7 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 1 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0v;
V
DS
=25V
−
69
−
ns
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