飞利浦 半导体
SI2304DS
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 17 8月 2001 6 的 12
9397 750 08526
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流 源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
2.5
V
GS
(v) =
3.0
4.0
5.0
8.0
3.5
10.0
I
D
(一个)
4
3
2
1
0
V
DS
(v)
0 0.5 1.0 1.5
003aaa122
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 25
o
C
= 150
o
C
5
4
3
2
1
0
I
D
(一个)
012345
V
GS
(v)
003aaa123
3.5
5.0
8.0
10.0
R
DSon
(
Ω
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
(一个)
1
2
3
003aaa124
V
GS
(v) =
0
003aaa125
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-60
-20
20
60
100
140 180
一个
T
j
(
o
c)
一个
R
DSon
R
DSon 25
°
C
()
------------------------------
=
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