Si3867DV
vishay siliconix
文档 号码: 72068
s-31988—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
200
400
600
800
1000
1200
048121620
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
02468
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
048121620
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 5.1 一个
I
D
-流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 5.1 一个
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 3.3 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
C-电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
012345
I
D
= 5.1 一个
20
10
1
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-源-至-流 电压 (v) V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
V
GS
= 4.5 v
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 2 一个