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资料编号:607780
 
资料名称:SI3457BDV-T1-E3
 
文件大小: 68.31K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3457BDV
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 72019
s-40424—rev. d, 15-三月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250
一个
1.0
3 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
30 v, v
GS
= 0 v
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
=
10 v
20 一个
源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
10 v, i
D
=
5.0 一个 0.044 0.054
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
3.7 一个 0.082 0.100
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
15
v,I
D
=
5.0 一个
10 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
1.7 一个, v
GS
= 0 v
0.8
1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
12.5 19
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
15 v,
V
GS
=
10 v, i
D
=
5.0 一个 2.1 nC
门-流 承担 Q
gd
3.5
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
7 15
上升 时间 t
r
V
DD
=
15 v, r
L
= 15
10 15
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
=
10 v, r
g
= 6
30 45
ns
下降 时间 t
f
22 35
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 25 60
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
4
8
12
16
20
012345
0
4
8
12
16
20
0123456
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
= 125
C
55
C
4 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
3 v
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