首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:607830
 
资料名称:SI3210M-KT
 
文件大小: 1950.73K
   
说明
 
介绍:
PROSLIC PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第10页
10

11
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第13页
13
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第14页
14
浏览型号SI3210M-KT的Datasheet PDF文件第15页
15
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
si3210/si3211/si3212
初步的 rev. 1.11 11
表格 4. linefeed 特性
(v
DDA
, v
DDD
= 3.13 至 5.25 v, t
一个
= 0 至 70°c 为 k-等级, –40 至 85°c 为 b-等级)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
循环 阻抗 范围 R
循环
看 便条.* 0 160
直流 循环 电流 精度 I
LIM
= 29 毫安, etba = 4 毫安 –10 10 %
直流 打开 电路 电压
精度
起作用的 模式; v
OC
= 48 v,
V
TIP
– v
环绕
–4 4 V
直流 差别的 输出
阻抗
R
I
循环
< i
LIM
—160—
直流 打开 电路 voltage—
地面 开始
V
OCTO
I
环绕
<i
LIM
; v
环绕
wrt 地面
V
OC
= 48 V
–4 4 V
直流 输出 resistance—
地面 开始
R
ROTO
I
环绕
<i
LIM
; 环绕 至 地面 160
直流 输出 resistance—
地面 开始
R
TOTO
tip 至 地面 150 k
循环 closure/环绕 地面
发现 门槛 精度
I
THR
= 11.43 毫安 –20 20 %
环绕 trip 门槛
精度
R
THR
= 1100
–20 20 %
环绕 trip 回馈 时间 用户 可编程序的 寄存器 70
和 间接的 寄存器 36
———
环绕 振幅 V
TR
5 ren 加载; sine 波;
R
循环
= 160
Ω,
V
BAT
= –75 V
44 V
RMS
环绕 直流 补偿 R
OS
可编程序的 在 间接的
寄存器 19
0——V
trapezoidal 环绕 crest
因素 精度
crest 因素 = 1.3 –.05 .05
sinusoidal 环绕 crest
因素
R
CF
1.35 1.45
ringing 频率 精度 f = 20 hz –1 1 %
ringing cadence 精度 精度 的 开关 时间 –50 50 msec
校准 时间
cal 至
cal 位 600 msec
电源 alarm 门槛
精度
在 电源 门槛 = 300 mW –25 25 %
*note:
直流 阻抗 round trip; 160
corresponds 至 2 kft 26 gauge awg
.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com