Si3035
rev. 1.2 5
表格 3. 直流 特性, v
D
= +5 V
(v
一个
= +5 v ±5%, v
D
= +5 v ±5%, t
一个
= 0 至 70°c 为 k-等级)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 水平的 输入 电压 V
IH
3.5 — — V
低 水平的 输入 电压 V
IL
——0.8V
高 水平的 输出 电压 V
OH
I
O
= –2 毫安 3.5 — — V
低 水平的 输出 电压 V
OL
I
O
= 2 毫安 — — 0.4 V
输入 泄漏 电流 I
L
–10 — 10 µA
电源 供应 电流, 相似物 I
一个
V
一个
管脚 — 0.3 1 毫安
电源 供应 电流, 数字的
1
I
D
V
D
管脚 — 14 18 毫安
总的 供应 电流, 睡眠 模式
1
I
一个
+ i
D
pdn = 1, pdl = 0 — 1.3 2.5 毫安
总的 供应 电流, 深的 睡眠
1,2
I
一个
+ i
D
pdn = 1, pdl = 1 — 0.04 0.5 毫安
注释:
1.
所有 输入 在 0.4 或者 v
D
– 0.4 (cmos 水平). 所有 输入 使保持 静态的 除了 时钟 和 所有 输出 unloaded
(静态的 i
输出
= 0 毫安).
2.
RGDT
是 不 函数的 在 这个 状态.
表格 4. 直流 特性, v
D
= +3.3 V
(v
一个
= 承担 打气, v
D
= +3.3 v ± 0.3 v, t
一个
= 0 至 70°c 为 k-等级)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 水平的 输入 电压 V
IH
2.0 — — V
低 水平的 输入 电压 V
IL
——0.8V
高 水平的 输出 电压 V
OH
I
O
= –2 毫安 2.4 — — V
低 水平的 输出 电压 V
OL
I
O
= 2 毫安 — — 0.35 V
输入 泄漏 电流 I
L
–10 — 10 µA
电源 供应 电流, 相似物
1,2
I
一个
V
一个
管脚 — 0.3 1 毫安
电源 供应 电流, 数字的
3
I
D
V
D
管脚 — 9 12 毫安
总的 供应 电流, 睡眠 模式
3
I
一个
+ i
D
pdn = 1, pdl = 0 — 1.2 2.5 毫安
总的 供应 电流, 深的 睡眠
3,4
I
一个
+ i
D
pdn = 1, pdl = 1 — 0.04 0.5
电源 供应 电压, 相似物
1,5
V
一个
承担 打气 在 4.3 4.6 5.00 V
注释:
1.
仅有的 一个 解耦 电容 应当 是 连接 至 v
一个
当 这 承担 打气 是 在.
2.
那里 是 非 i
一个
电流 消耗量 当 这 内部的 承担 打气 是 使能 和 仅有的 一个 解耦 cap 是 连接
至 这 v
一个
管脚.
3.
所有 输入 在 0.4 或者 v
D
– 0.4 (cmos 水平). 所有 输入 使保持 静态的 除了 时钟 和 所有 输出 unloaded
(静态的 i
输出
= 0 毫安).
4.
RGDT
是 不 函数的 在 这个 状态.
5.
这 承担 打气 是 推荐 至 是 使用 仅有的 当 v
D
< 4.5 v. 当 这 承担 打气 是 不 使用, v
一个
应当 是
应用 至 这 设备 在之前 v
D
是 应用 在 电源 向上 如果 驱动 从 独立的 供应.
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