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资料编号:607887
 
资料名称:SI3911DV
 
文件大小: 47.13K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3911DV
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 71380
s-20275
rev. b, 18-三月-02


0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
门槛 电压
T
J
温度 (
c)
I
D
= 250
一个
variance (v)V
gs(th)
0.01
0
1
6
8
2
4
10 300.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源 (接合面-至-包围的)
时间 (秒)
10
3
10
2
11010
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-foot
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
2
1
0.1
0.01
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
100
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 130
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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