Si4133
rev. 1.1 9
rf1 调和的 抑制 第二 调和的 — –26 –20 dBc
rf2 调和的 抑制 — –26 –20 dBc
如果 调和的 抑制 — –26 –20 dBc
rfout 电源 水平的 Z
L
= 50
Ω
–8 –3 1 dBm
rfout 电源 水平的
2
Z
L
= 50
Ω,
rf1 起作用的,
扩展 频率
运作
–14 –7 1 dBm
ifout 电源 水平的 Z
L
= 50
Ω
–8 –4 0 dBm
rf1 输出 涉及 spurs 补偿 = 200 khz — –65 — dBc
补偿 = 400 khz — –71 — dBc
补偿 = 600 khz — –75 — dBc
rf2 输出 涉及 spurs 补偿 = 200 khz — –65 — dBc
补偿 = 400 khz — –71 — dBc
补偿 = 600 khz — –75 — dBc
电源 向上 要求 至 synthesizer
准备好
3
时间
t
pup
计算数量 4, 5 — 40/f
φ
50/f
φ
电源 向下 要求 至 synthesizer
止
4
德州仪器me
t
pdn
计算数量 4, 5 — — 100 ns
表格 5. rf 和 如果 synthesizer 特性 (持续)
(v
DD
= 2.7 至 3.6 v, t
一个
= –40 至 85°c)
参数
1
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
注释:
1.
f
φ
= 200 khz, rf1 = 1.6 ghz, rf2 = 1.2 ghz, ifout = 550 mhz, lpwr = 0, 为 所有 参数 除非 否则 指出.
2.
扩展 频率 运作 仅有的. v
DD
≥
3.0 v, mlp 仅有的, vco tuning 范围 fixed 用 直接地 shorting 这 rfla 和
rflb 管脚. 看 应用 便条 41 为 更多 详细信息 在 这 si4133 扩展 频率 运作.
3.
从 电源 向上 要求 (pwdnb
↑
或者 senb
↑
在 一个 写 的 1 至 位 pdib 和 pdrb 在 寄存器 2) 至 rf 和 如果
synthesizers 准备好 (settled 至 在里面 0.1 ppm 频率 错误).
4.
从 电源 向下 要求 (pwdnb
↓
, 或者 senb
↑
在 一个 写 的 0 至 位 pdib 和 pdrb 在 寄存器 2) 至 供应
电流 equal 至 i
PWDN
.
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